H01 基本电气元件专利

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H01L 半导体器件；其他类目未包括的电固体器件专利

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第八十一分册		第八十二分册
[H01L] 81-1 多芯片封装体　　 [H01L] 81-2 集成电路模块中的安装结构　　 [H01L] 81-3 IC、IC上的随机存取存储器和保持IC中性能的方法　　 [H01L] 81-4 具有层叠的节点接触结构的半导体集成电路及其制造方法　　 [H01L] 81-5 非易失性半导体存储器件　　 [H01L] 81-6 非易失性半导体存储器件的制造方法　　 [H01L] 81-7 RRAM存储器单元电极　　 [H01L] 81-8 半导体器件中的节点接触结构及其制造方法　　 [H01L] 81-9 互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法　　 [H01L] 81-10 互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法　　 [H01L] 81-11 半导体器件及其制备方法　　 [H01L] 81-12 具有一分开井结构的隔离的高电压LDMOS晶体管　　 [H01L] 81-13 半导体器件　　 [H01L] 81-14 光电器件　　 [H01L] 81-15 发光二极管结构　　 [H01L] 81-16 发光二极管及其制造方法　　 [H01L] 81-17 覆晶式发光二极管封装结构　　 [H01L] 81-18 白色光发光二极管及其色度控制方法　　 [H01L] 81-19 一种氮化镓系发光二极管结构及其制造方法　　 [H01L] 81-20 发光二极管元件　　 [H01L] 81-21 氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法　　 [H01L] 81-22 形成具有金属基板的发光二极管的方法　　 [H01L] 81-23 白光LED的改良方法　　 [H01L] 81-24 具有光子晶体的发光二极管及其装置　　 [H01L] 81-25 加套发光二极管组件和包含其的灯串　　 [H01L] 81-26 半导体发光元件　　 [H01L] 81-27 微型热电冷却装置的结构及制造方法　　 [H01L] 81-28 有机发光二极管面板　　 [H01L] 81-29 激光辅助直接压印平板印刷术　　 [H01L] 81-30 多室基材处理系统中执行的整合原位蚀刻制程　　 [H01L] 81-31 部件安装方法,部件安装装置及超声波焊接头　　 [H01L] 81-32 基于无线通信可调整的装置、装置调整方法和装置调整系统　　 [H01L] 81-33 电路图形的分割方法、掩模版的制造方法、掩模版及曝光方法　　 [H01L] 81-34 使用内存字线硬掩膜延伸部的集成电路制造方法　　 [H01L] 81-35 基板的分割方法　　 [H01L] 81-36 半导体晶片表面保护用粘结膜及用该粘结膜的半导体晶片的保护方法　　 [H01L] 81-37 晶片的两面研磨装置及两面研磨方法　　 [H01L] 81-38 表面处理方法、半导体器件、半导体器件的制造方法以及处理设备　　 [H01L] 81-39 钽阻挡层去除溶液　　 [H01L] 81-40 纳米线的制造方法和电子装置　　 [H01L] 81-41 用于指示膜层变化的宽频带光学终点检测系统与方法　　 [H01L] 81-42 等离子体处理装置　　 [H01L] 81-43 等离子体处理方法和老化结束检测方法以及等离子体处理装置　　 [H01L] 81-44 等离子体蚀刻方法　　 [H01L] 81-45 等离子体处理装置用电极及等离子体处理装置　　 [H01L] 81-46 成膜方法　　 [H01L] 81-47 基板处理装置和基板处理方法、高速旋转阀、清洁方法　　 [H01L] 81-48 用于低介电常数材料的有机组合物　　 [H01L] 81-49 有机组合物　　 [H01L] 81-50 集成电路器件及其方法　　 [H01L] 81-51 使用氧化硅衬垫的离子注入以防止掺杂剂自源极/漏极延伸部向外扩散的方法　　 [H01L] 81-52 金属有机化学气相沉积和原子层沉积　　 [H01L] 81-53 使用氨基硅烷和臭氧的低温介电沉积　　 [H01L] 81-54 键合线和使用该键合线的集成电路装置　　 [H01L] 81-55 被处理体的收存容器体　　 [H01L] 81-56 用于制造半导体衬底的方法和所得结构　　 [H01L] 81-57 增加DRAM单元电容器中的电极表面积的方法　　 [H01L] 81-58 半导体装置及其制造方法　　 [H01L] 81-59 N和P沟道晶体管的利用正主体偏压的自适应阈电压控制　　 [H01L] 81-60 具有保护性安全涂层的半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 81-61 非流动填缝封铸剂　　 [H01L] 81-62 薄膜、具有薄膜的结构以及形成薄膜的方法　　 [H01L] 81-63 具有接合焊盘的半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 81-64 功率放大器器件　　 [H01L] 81-65 主动矩阵电致发光显示装置及其制造方法　　 [H01L] 81-66 主动矩阵电致发光显示装置及其制造　　 [H01L] 81-67 主动矩阵显示装置及其制造　　 [H01L] 81-68 金属绝缘体金属电容器　　 [H01L] 81-69 半导体装置及其制造方法　　 [H01L] 81-70 含侧向电气连接的半导体管芯的半导体管芯封装　　 [H01L] 81-71 用于使位线不会短路的存储器装置的硬掩膜方法　　 [H01L] 81-72 主动矩阵电致发光显示装置及其制造方法　　 [H01L] 81-73 为优化载流子传输而在同一晶片上利用不同晶面制造N-FET和P-FET　　 [H01L] 81-74 纳米线和电子器件　　 [H01L] 81-75 掺杂型III-V族氮化物材料及由这种材料构成的微电子器件和器件前体结构　　 [H01L] 81-76 应变翅片式场效应晶体管的结构和方法　　 [H01L] 81-77 半导体器件　　 [H01L] 81-78 薄膜晶体管、电路装置及液晶显示器　　 [H01L] 81-79 侦测器装置、电荷载体之侦测方法、及侦测电荷之ONO场效应晶体管之使用　　 [H01L] 81-80 半导体器件的制造方法以及加速度传感器　　 [H01L] 81-81 半导体-纳米晶体/共轭聚合物薄膜　　 [H01L] 81-82 用于收集并均匀传输LED光的系统　　 [H01L] 81-83 具有n-型热电特性的复合氧化物　　 [H01L] 81-84 染料敏化太阳能电池的结构和材料　　 [H01L] 81-85 光电纤维　　 [H01L] 81-86 有机EL发光元件和使用该元件的液晶显示器　　 [H01L] 81-87 使用金属-金属键接络合物的分子电子器件　　 [H01L] 81-88 电子设备、方法、单体和聚合物　　 [H01L] 81-89 合成硒化镉和硒化镉硫化镉核壳结构量子点的方法　　 [H01L] 81-90 填充硅中过孔的悬浮液和方法　　 [H01L] 81-91 用于接合工具定位的装置和方法　　 [H01L] 81-92 调准方法、半导体装置的制造方法、半导体装置用基板、电子设备　　 [H01L] 81-93 半导体晶圆加工方法　　 [H01L] 81-94 剥离装置和剥离方法　　 [H01L] 81-95 半导体装置及其制造方法　　 [H01L] 81-96 制备电容器装置中的硬质掩模的方法及用于电容器装置中的硬质掩模　　 [H01L] 81-97 制备GaN晶体衬底的方法　　 [H01L] 81-98 用于提供具有活性掺杂剂层结构的半导体衬底的方法　　 [H01L] 81-99 使用具有Si-Si键的含有机Si化合物形成含Si薄膜的方法　　 [H01L] 81-100 移除晶片上颗粒与金属颗粒的方法　　 [H01L] 81-101 半导体元件清洗用组合物　　 [H01L] 81-102 一种台面整流器件的玻璃钝化形成工艺　　 [H01L] 81-103 半导体装置的制造方法　　 [H01L] 81-104 蚀刻液回收系统与方法　　 [H01L] 81-105 光照射热处理方法及光照射热处理装置　　 [H01L] 81-106 在FinFET中形成翅片的后退法　　 [H01L] 81-107 FinFET的制作方法以及至少包含一个FinFET的集成电路　　 [H01L] 81-108 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 81-109 混合集成电路装置的制造方法　　 [H01L] 81-110 半导体装置的制造方法及使用于其中的耐热性粘合带　　 [H01L] 81-111 提高环氧粉末包封的电子元器件击穿电压的设计方法　　 [H01L] 81-112 形成半导体封装以及在其上形成引线框的方法　　 [H01L] 81-113 在有源元件之上具有连接焊盘的半导体集成电路　　 [H01L] 81-114 双电热丝熔切法锡球制备机　　 [H01L] 81-115 双电热丝熔切直接钎料凸点制作方法　　 [H01L] 81-116 内连接线最低阻挡层厚度的预测方法　　 [H01L] 81-117 防止芯片破裂的控制装置与方法　　 [H01L] 81-118 监控IC加工的方法与系统　　 [H01L] 81-119 检测卡　　 [H01L] 81-120 半导体集成电路器件的制造方法　　 [H01L] 81-121 基板的支承板以及支承板的剥离方法　　 [H01L] 81-122 半导体装置及内联机结构的形成方法及铜制程整合方法　　 [H01L] 81-123 栅极氧化物的选择性渗氮　　 [H01L] 81-124 在源漏区域形成两种厚度硅化物的工艺　　 [H01L] 81-125 半导体器件的制造方法　　 [H01L] 81-126 非易失半导体存储器件的制造方法　　 [H01L] 81-127 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 81-128 半导体器件、光学器件模块以及半导体器件的制造方法　　 [H01L] 81-129 电子元件的封装结构及其制造方法　　 [H01L] 81-130 混合集成电路装置及其制造方法　　 [H01L] 81-131 百叶窗鳍片结构电子芯片散热器　　 [H01L] 81-132 半导体器件及其制造方法以及半导体芯片和电子设备　　 [H01L] 81-133 实现芯片管脚功能互换的电路及芯片　　 [H01L] 81-134 半导体装置及其制造方法　　 [H01L] 81-135 具有晶片中的双金属镶嵌结构的半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 81-136 有源区键合兼容高电流的结构　　 [H01L] 81-137 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 81-138 低k和超低k SiCOH介质膜及其制作方法　　 [H01L] 81-139 半导体器件的测试图案及利用其的测试方法　　 [H01L] 81-140 层叠型半导体存储装置　　 [H01L] 81-141 半导体器件及显示设备　　 [H01L] 81-142 具复合多晶硅层的半导体结构及其应用的显示面板　　 [H01L] 81-143 集成电路器件　　 [H01L] 81-144 半导体装置　　 [H01L] 81-145 半导体装置　　 [H01L] 81-146 半导体芯片与半导体组件及其形成方法　　 [H01L] 81-147 铁电体膜、铁电存储器、以及压电元件　　 [H01L] 81-148 半导体存储器件及其制造方法　　 [H01L] 81-149 固体摄像装置及其驱动方法　　 [H01L] 81-150 半导体装置及其制造方法　　 [H01L] 81-151 一种有源阵列显示装置　　 [H01L] 81-152 电介质分离型半导体装置及其制造方法　　 [H01L] 81-153 用于减小寄生的基极-集电极电容的基极垫布局和使用该布局制造HBT的方法　　 [H01L] 81-154 具有低栅极电荷和低导通电阻的半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 81-155 半导体装置及其形成方法　　 [H01L] 81-156 随机数生成元件　　 [H01L] 81-157 集成电路元件与晶体管元件以及微电子元件及其制造方法　　 [H01L] 81-158 绝缘栅极型半导体装置及其制造方法　　 [H01L] 81-159 至少五侧面沟道型鳍式场效应晶体管及其制造方法　　 [H01L] 81-160 薄膜晶体管及其制造方法　　 [H01L] 81-161 光传感器及显示装置　　 [H01L] 81-162 一种固态染料敏化纳米晶太阳能电池及其制备方法　　 [H01L] 81-163 氮化物发光器件及其制造方法　　 [H01L] 81-164 倒装芯片氮化物半导体发光二极管　　 [H01L] 81-165 电源装置和车辆用灯具　　 [H01L] 81-166 发光二极管　　 [H01L] 81-167 发光二极管管芯及其制造方法　　 [H01L] 81-168 具有透镜的发光二极管光源　　 [H01L] 81-169 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法　　 [H01L] 81-170 复合压电元件、以及使用该元件的滤波器、双工器和通讯设备　　 [H01L] 81-171 光电元件　　 [H01L] 81-172 有机发光二极管及包含该有机发光二极管的显示器　　 [H01L] 81-173 一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法　　 [H01L] 81-174 气体驱动的行星旋转设备及用于形成碳化硅层的方法　　 [H01L] 81-175 使一个板状基片定位的装置和方法　　 [H01L] 81-176 调节半导体晶片和/或混合波导联结的方法和装置　　 [H01L] 81-177 在离散片上沉积多层涂层的装置　　 [H01L] 81-178 避免ASIC/SOC制造中原型保持的制造方法和设备　　 [H01L] 81-179 曝光设备以及使用该曝光设备的器件制造方法　　 [H01L] 81-180 纵型热处理装置　　 [H01L] 81-181 Al系Ⅲ-V族化合物半导体的气相生长方法、Al系Ⅲ-V族化合物半导体的制造方法与制造装置　　 [H01L] 81-182 窗型探针、等离子体监视装置及等离子体处理装置　　 [H01L] 81-183 纵型热处理装置　　 [H01L] 81-184 用于蚀刻通孔的改进方法　　 [H01L] 81-185 抛光垫及使用该垫制造半导体衬底的方法　　 [H01L] 81-186 等离子体处理装置及其隔板　　 [H01L] 81-187 除去光刻胶和蚀刻残渣的方法　　 [H01L] 81-188 在衬底上形成图案层的方法　　 [H01L] 81-189 用于可调静电夹盘的可变温度处理　　 [H01L] 81-190 用于输入/输出位置的共用球型限制冶金　　 [H01L] 81-191 用于连结基片的处理和复合元件　　 [H01L] 81-192 脱模层转移用薄膜及层合薄膜　　 [H01L] 81-193 用于图形化双波纹互连的三层掩膜结构　　 [H01L] 81-194 制造具低电阻的含金属层之方法　　 [H01L] 81-195 具有位线隔离的内存制造方法　　 [H01L] 81-196 半导体器件和半导体器件的组装方法　　 [H01L] 81-197 电路基板及其制造方法、以及功率模块　　 [H01L] 81-198 载体、制造载体和电子器件的方法　　 [H01L] 81-199 制造电子器件的方法　　 [H01L] 81-200 电子器件的制造方法以及电子器件		[H01L] 82-1 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 82-2 用于模制电压差分器设计的动态电压标定方案　　 [H01L] 82-3 互连结构及方法　　 [H01L] 82-4 包含集成格状电容器结构的半导体组件　　 [H01L] 82-5 电子器件及其制造方法　　 [H01L] 82-6 用于为电子电路制作复制保护的方法以及相应元件　　 [H01L] 82-7 堆叠单元片半引线器件　　 [H01L] 82-8 形成非易失可变电阻器件的方法以及形成包含硒化银的结构的方法　　 [H01L] 82-9 非易失性触发器　　 [H01L] 82-10 位线结构及其制造方法　　 [H01L] 82-11 有分级基极层的双极晶体管　　 [H01L] 82-12 薄膜晶体管阵列面板　　 [H01L] 82-13 半导体设备　　 [H01L] 82-14 向手持装置提供电能的太阳能装置　　 [H01L] 82-15 制造串联型薄膜光电转换器件的方法　　 [H01L] 82-16 光发射器件及使用其的照明器　　 [H01L] 82-17 发光二极管及其制造方法　　 [H01L] 82-18 热电变换材料及其制造方法　　 [H01L] 82-19 用于压电陶瓷设备的驱动电路　　 [H01L] 82-20 响应于电气激活移动具有一对相对表面的向后折叠臂的装置　　 [H01L] 82-21 用于在响应电启动以移动一对相对表面的装置　　 [H01L] 82-22 用于电阻可变存储器的硒化银/硫族化物玻璃叠层　　 [H01L] 82-23 制作半导体元件接面区域的方法　　 [H01L] 82-24 激光退火方法及激光退火装置　　 [H01L] 82-25 平面显示装置的制造装置　　 [H01L] 82-26 结晶设备和方法、电子器件的制造方法、电子器件以及光学调制元件　　 [H01L] 82-27 生产结构体的方法和氧化硅膜用蚀刻剂　　 [H01L] 82-28 用于减少电子器件氧化的系统　　 [H01L] 82-29 结构检查、图形形成、工艺条件确定及半导体器件制造方法　　 [H01L] 82-30 形成电感器的方法以及半导体结构　　 [H01L] 82-31 半导体器件的形成方法和系统　　 [H01L] 82-32 半导体薄膜的制造方法及图像显示装置　　 [H01L] 82-33 氮化物半导体薄膜及其生长方法　　 [H01L] 82-34 用于在SOI晶片中产生不同厚度的有源半导体层的方法　　 [H01L] 82-35 制造重掺杂半导体晶圆的工艺，及无位错、重掺杂半导体晶圆　　 [H01L] 82-36 半导体元件的结构及其制造方法　　 [H01L] 82-37 制备纳米间隙的外电场诱导取向沉积方法　　 [H01L] 82-38 形成半导体器件接触的方法　　 [H01L] 82-39 接触空穴、半导体器件、液晶显示器及EL显示器的制法　　 [H01L] 82-40 制作半导体芯片主面和背面上包括电极的半导体器件方法　　 [H01L] 82-41 半导体器件　　 [H01L] 82-42 半导体晶片的保护方法及半导体晶片保护用粘着膜　　 [H01L] 82-43 高效能臭氧水清洗半导体晶圆的系统及其方法　　 [H01L] 82-44 化合物半导体装置的制造方法　　 [H01L] 82-45 保护带贴附方法和其装置以及保护带分离方法和其装置　　 [H01L] 82-46 半导体晶片的制造方法　　 [H01L] 82-47 锑化物及其器件的表面钝化方法　　 [H01L] 82-48 干蚀刻装置及干蚀刻方法　　 [H01L] 82-49 一种对低介电材料表面进行处理形成光学抗反射层的工艺　　 [H01L] 82-50 降低半导体器件中有效介电常数的器件和方法　　 [H01L] 82-51 抑制锑化物硫钝化失效的保护层及其生成方法　　 [H01L] 82-52 激光退火方法及激光退火装置　　 [H01L] 82-53 具有静电放电防护的薄膜晶体管元件的形成方法　　 [H01L] 82-54 自对准内栅凹陷沟道晶体管及其制造方法　　 [H01L] 82-55 镍-自对准硅化物工艺和利用该工艺制造半导体器件的方法　　 [H01L] 82-56 制造半导体器件的方法　　 [H01L] 82-57 布线基板的制造方法　　 [H01L] 82-58 一种多芯片集成电路封装方法及其结构　　 [H01L] 82-59 贴装半导体芯片的设备　　 [H01L] 82-60 器件封装及其制造和测试方法　　 [H01L] 82-61 具有上下导电层的导通部的半导体装置及其制造方法　　 [H01L] 82-62 半导体器件　　 [H01L] 82-63 用于自动测试设备的绝缘硅通道结构　　 [H01L] 82-64 定位台装置　　 [H01L] 82-65 形成浅沟槽隔离(STI)的方法及其结构　　 [H01L] 82-66 在暴露的low k材料表面淀积保护性介质层的方法　　 [H01L] 82-67 制造半导体装置的方法　　 [H01L] 82-68 半导体器件的制造方法　　 [H01L] 82-69 用于在半导体器件中形成互连线的方法及互连线结构　　 [H01L] 82-70 形成电容器之方法及电容器　　 [H01L] 82-71 集成电路及程序化电荷储存存储单元的方法　　 [H01L] 82-72 用于半导体器件的自动布局和布线的自动布局和布线设备、方法,半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 82-73 一种图形引擎芯片及其应用方法　　 [H01L] 82-74 一种图形引擎芯片及其应用方法　　 [H01L] 82-75 深亚微米集成电路制造工艺中集成不同厚度栅氧的方法　　 [H01L] 82-76 减少光感应组件被微粒污染的封装结构和封装方法　　 [H01L] 82-77 导热性硅氧烷放热用组合物及其使用方法　　 [H01L] 82-78 以冷却剂对需要散热对象进行冷却之控制装置及方法　　 [H01L] 82-79 散热装置及其热分散器　　 [H01L] 82-80 液冷式功率变换装置　　 [H01L] 82-81 优化的电子封装　　 [H01L] 82-82 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 82-83 混合集成电路装置及其制造方法　　 [H01L] 82-84 具有平面型连接的集成电路　　 [H01L] 82-85 静电放电防护电路及静电放电防护方法　　 [H01L] 82-86 静电放电保护电路及其制造方法　　 [H01L] 82-87 多芯片组件及其驱动方法　　 [H01L] 82-88 部件内置模块和配备部件内置模块的电子设备　　 [H01L] 82-89 半导体器件　　 [H01L] 82-90 背对背封装集成电路及其生产方法　　 [H01L] 82-91 芯片及使用该芯片的多芯片半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 82-92 三维半导体封装,以及用于其中的间隔芯片　　 [H01L] 82-93 放大信号的电路和方法　　 [H01L] 82-94 具有可变增益的占空比校正电路及其操作方法　　 [H01L] 82-95 晶体管阵列及其制造方法、以及图像处理器件　　 [H01L] 82-96 具有分离的电源环的半导体芯片及其制造和控制方法　　 [H01L] 82-97 半导体晶片及其制造方法　　 [H01L] 82-98 CMOS器件、其制造方法及掩模数据生成方法　　 [H01L] 82-99 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 82-100 电容元件及其制造方法　　 [H01L] 82-101 半导体存储装置及其制造方法　　 [H01L] 82-102 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 82-103 半导体装置及其制造方法　　 [H01L] 82-104 固态成像装置和像机　　 [H01L] 82-105 光传感器模块　　 [H01L] 82-106 固体摄像装置用半导体元件和采用该元件的固体摄像装置　　 [H01L] 82-107 能够减少功耗的固态图像拾取设备　　 [H01L] 82-108 固态图像拾取装置和模块型固态图像拾取装置　　 [H01L] 82-109 采用弯曲极板实现高电容值调节范围的微机械可变电容　　 [H01L] 82-110 半导体装置及其制造方法　　 [H01L] 82-111 半导体器件　　 [H01L] 82-112 半导体器件　　 [H01L] 82-113 金属接触结构与其制造方法　　 [H01L] 82-114 在SOI上形成平面多栅极晶体管结构和其方法　　 [H01L] 82-115 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 82-116 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 82-117 薄膜晶体管及其制造方法　　 [H01L] 82-118 封装装置　　 [H01L] 82-119 原纤维太阳能电池及其制备方法　　 [H01L] 82-120 具有高电阻缓冲层的发光组件　　 [H01L] 82-121 发光二极管元件、覆晶式发光二极管封装结构与光反射结构　　 [H01L] 82-122 紫外线照射装置、紫外线照射条件设定法及紫外线照射法　　 [H01L] 82-123 半导体发光元件及其制造方法　　 [H01L] 82-124 氮化物半导体自立基板及其制造方法、以及使用它的氮化物半导体发光元件　　 [H01L] 82-125 发光二极管光源组件　　 [H01L] 82-126 低场大磁致应变Fe-Ga磁致伸缩材料及其制备方法　　 [H01L] 82-127 有机发光二极管及包含该有机发光二极管的显示装置　　 [H01L] 82-128 单个晶片的干燥装置和干燥方法　　 [H01L] 82-129 转移流动处理过程和装置　　 [H01L] 82-130 插塞结构之电容器组障　　 [H01L] 82-131 安装方法和安装装置　　 [H01L] 82-132 半导体器件制造工厂中的原料供给系统　　 [H01L] 82-133 曝光方法与曝光装置、以及器件的制造方法　　 [H01L] 82-134 结晶装置和结晶方法　　 [H01L] 82-135 研磨液及研磨方法　　 [H01L] 82-136 半导体晶片的制造方法及晶片　　 [H01L] 82-137 被处理体的蚀刻方法　　 [H01L] 82-138 排序二相介电薄膜及含有该膜的半导体器件　　 [H01L] 82-139 其上具有半导体器件的单晶氧化物的生长方法　　 [H01L] 82-140 具有多层配线结构的半导体装置及其制造方法　　 [H01L] 82-141 晶体管的制造方法　　 [H01L] 82-142 部分构图的引线框架及其制造方法以及在半导体封装中的使用　　 [H01L] 82-143 次载具和半导体组件　　 [H01L] 82-144 晶片组装使用的填充不足的密封剂及其应用方法　　 [H01L] 82-145 半导体器件　　 [H01L] 82-146 用于在基板上制造电接触焊盘的工艺和执行该工艺的设备　　 [H01L] 82-147 粘附方法及其装置　　 [H01L] 82-148 基板处理装置及处理方法　　 [H01L] 82-149 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 82-150 填充接触孔之方法及具接触孔之集成电路装置　　 [H01L] 82-151 固体电解质开关元件及使用其的FPGA、存储元件及其制造方法　　 [H01L] 82-152 用于保持晶片上的接合焊垫超洁净的方法和晶片　　 [H01L] 82-153 具有铅直晶体管及渠沟电容内存胞元之动态随机存取内存及其制造方法　　 [H01L] 82-154 用于RF和微波通信集成电路的热电定点冷却器　　 [H01L] 82-155 一种散热装置　　 [H01L] 82-156 包含金属层顶部钨或钨化合物之连结垫　　 [H01L] 82-157 半导体器件和电子设备　　 [H01L] 82-158 半导体装置及叠层型半导体装置　　 [H01L] 82-159 具连接层之集成电路装置及其制造方法　　 [H01L] 82-160 校准激光标记系统中的标记的方法　　 [H01L] 82-161 模块集成电路芯片载体　　 [H01L] 82-162 半导体装置的制造方法　　 [H01L] 82-163 非易失性存储器及其制造方法　　 [H01L] 82-164 固态成像装置及其制造方法　　 [H01L] 82-165 线状元件及其制造方法　　 [H01L] 82-166 集成装置　　 [H01L] 82-167 包含底栅极薄膜晶体管的电子器件及其制造方法　　 [H01L] 82-168 等离子体振动开关元件　　 [H01L] 82-169 带有均匀掺杂沟道的低压高密度沟槽栅极功率器件及其边缘终止技术　　 [H01L] 82-170 太阳能电池及衣服　　 [H01L] 82-171 太阳能电池模块安装结构和太阳能电池模块阵列　　 [H01L] 82-172 高磁场超导体　　 [H01L] 82-173 压电点火机构　　 [H01L] 82-174 用于可编程器件的修改的触点　　 [H01L] 82-175 对于可编程器件使用原子层沉积　　 [H01L] 82-176 可编程构件、包括此构件的阵列及其形成方法　　 [H01L] 82-177 作为改善有机半导体中电荷载子移动性添加剂之硅粒子　　 [H01L] 82-178 用于圆片制造设备预简化的设施连接斗　　 [H01L] 82-179 半导体处理室中使用的物件及其制造方法　　 [H01L] 82-180 用于半导体工艺监视和控制的红外热电堆检测器系统　　 [H01L] 82-181 等离子体反应室用硅部件　　 [H01L] 82-182 电子设备　　 [H01L] 82-183 在包含基座的处理室中加热半导体基板的工艺和系统　　 [H01L] 82-184 制造半导体元件的方法和由此方法制造的半导体元件　　 [H01L] 82-185 去除光刻胶和蚀刻残留物的方法　　 [H01L] 82-186 降低晶片翘曲的装置、系统和方法　　 [H01L] 82-187 光刻胶膜除去装置和光刻胶膜除去方法及有机物除去装置和有机物除去方法　　 [H01L] 82-188 光刻胶除去装置和光刻胶除去方法　　 [H01L] 82-189 衬底加工设备和衬底加工方法　　 [H01L] 82-190 处理装置状态或处理结果的预测方法　　 [H01L] 82-191 等离子体处理设备和等离子体产生方法　　 [H01L] 82-192 铜和阻障层之整合化学机械抛光的方法和设备　　 [H01L] 82-193 由损耗的氮化物隔离器限定的浮动栅极晶体管中的超小型薄窗口　　 [H01L] 82-194 用于MOS栅器件的表面几何结构　　 [H01L] 82-195 晶片级涂覆的铜柱状凸起　　 [H01L] 82-196 半导体器件封装系统　　 [H01L] 82-197 具有电阻尖端的半导体探针及其制作方法、和具有该半导体探针的信息记录装置、信息复制装置和信息测量装置　　 [H01L] 82-198 基板处理装置和基板处理方法　　 [H01L] 82-199 多厚度半导体互连及其制造方法　　 [H01L] 82-200 体半导体的鳍状FET器件及其形成方法

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