H01 基本电气元件专利

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H01L 半导体器件；其他类目未包括的电固体器件专利

[1-20分册] [21-40分册] [41-60分册] [61-80分册] [81-100分册] [101-112分册]

[21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40]

第二十一分册		第二十二分册
[H01L] 21-1 光刻胶膜去除方法及其所用装置　　 [H01L] 21-2 半导体装置　　 [H01L] 21-3 单晶膜的晶体离子切割　　 [H01L] 21-4 用于捕获离子的接收装置　　 [H01L] 21-5 大面积显示结构的密封　　 [H01L] 21-6 具有电容元件的集成电路　　 [H01L] 21-7 拼接的电子显示器结构　　 [H01L] 21-8 电子显示设备的对比度增强　　 [H01L] 21-9 半导体器件的制造方法　　 [H01L] 21-10 电光器件及其制作方法　　 [H01L] 21-11 半导体装置用清洗剂和半导体装置的制造方法　　 [H01L] 21-12 散热器　　 [H01L] 21-13 引线架及树脂封装型半导体器件的制造方法　　 [H01L] 21-14 防止熔丝烧断损伤的相邻熔丝之间的裂缝挡板　　 [H01L] 21-15 具有腔体的金属丝熔丝结构　　 [H01L] 21-16 电致发光显示器件及其制造方法　　 [H01L] 21-17 制造半导体器件的方法　　 [H01L] 21-18 直立式发光二极管及其导电线路构造　　 [H01L] 21-19 发光二极管的基板构造　　 [H01L] 21-20 具有圆形的水平臂的自由滑动垂直架　　 [H01L] 21-21 通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构　　 [H01L] 21-22 低电感控制的门控晶闸管　　 [H01L] 21-23 立式集成电路装置　　 [H01L] 21-24 显示器件　　 [H01L] 21-25 隔离栅双极型晶体管　　 [H01L] 21-26 辐射发送和/或接收元件　　 [H01L] 21-27 半导体器件的制造方法　　 [H01L] 21-28 具有至少一个电容的集成电路及其制造方法　　 [H01L] 21-29 具有电容器保护层的半导体存储器件及其制备方法　　 [H01L] 21-30 半导体装置及其制造方法　　 [H01L] 21-31 铁电电容器与半导体器件　　 [H01L] 21-32 静电感应晶体管及其制造方法和电能转换装置　　 [H01L] 21-33 半导体位置探测器　　 [H01L] 21-34 氮化物半导体元件　　 [H01L] 21-35 曝光掩模、其制造方法以及使用其的半导体器件的制造方法　　 [H01L] 21-36 电子束曝光方法和所用掩膜及电子束曝光系统　　 [H01L] 21-37 带电粒子束光刻装置以及带电粒子束的光刻方法　　 [H01L] 21-38 沟道隔离结构、具有该结构的半导体器件以及沟道隔离方法　　 [H01L] 21-39 电子模块　　 [H01L] 21-40 具有差分信号线平衡扭绞的集成电路　　 [H01L] 21-41 垂直型金属氧化物半导体晶体管　　 [H01L] 21-42 光电二极管　　 [H01L] 21-43 发光二极管装置　　 [H01L] 21-44 高效电子制冷芯片　　 [H01L] 21-45 投影光学系统、投影光学系统的制造方法和使用该光学系统的投影曝光装置　　 [H01L] 21-46 使用各向异性导电粘接剂的半导体装置的安装方法　　 [H01L] 21-47 制造半导体器件的方法　　 [H01L] 21-48 场效应晶体管　　 [H01L] 21-49 电致发光器件　　 [H01L] 21-50 半导体制造设备　　 [H01L] 21-51 薄膜晶体管的轻掺杂漏极/偏置结构的制造方法　　 [H01L] 21-52 具散热功能封装用塑胶基板及其制造方法　　 [H01L] 21-53 半导体装置　　 [H01L] 21-54 横型异质结双极三极管及其制造方法　　 [H01L] 21-55 垂直MOS晶体管　　 [H01L] 21-56 处理绝缘层的方法　　 [H01L] 21-57 产生二维或三维导电或半导电结构的方法,擦除该结构的方法及产生上述电路结构所用的电场发生器/调制器　　 [H01L] 21-58 半导体装置、安装基板及其制造方法、电路基板和电子装置　　 [H01L] 21-59 一种电感器件　　 [H01L] 21-60 高频模块及其制造方法　　 [H01L] 21-61 存储器单元装置及其制造方法　　 [H01L] 21-62 真空场效应晶体管　　 [H01L] 21-63 具有内在铜离子迁移势垒的低介电常数的介电材料　　 [H01L] 21-64 一种锡球生产工艺　　 [H01L] 21-65 采用Ta [H01L] 21-66 半导体器件的电容器的制造方法　　 [H01L] 21-67 电光学装置的制造方法，电光学装置及电子机器　　 [H01L] 21-68 由树脂制成应力吸收层的倒装片型半导体器件及制造方法　　 [H01L] 21-69 包含改善的热交换器的散热装置　　 [H01L] 21-70 半导体器件　　 [H01L] 21-71 固体摄像装置　　 [H01L] 21-72 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 21-73 电光装置　　 [H01L] 21-74 发光半导体装置及其制作方法　　 [H01L] 21-75 微小型热电堆元件及其形成热隔离的方法　　 [H01L] 21-76 薄膜型装置及其制作方法　　 [H01L] 21-77 制作导电或半导电三维结构的方法和擦除该结构的方法　　 [H01L] 21-78 半导体装置的制造方法及半导体装置　　 [H01L] 21-79 可切换感光灵敏度的有机二极管　　 [H01L] 21-80 行－列可寻址电微开关阵列及使用其的传感器矩阵　　 [H01L] 21-81 绘制图形校验方法　　 [H01L] 21-82 半导体放电管制造方法的改进　　 [H01L] 21-83 带有凸点的布线电路基板的制造方法和凸点形成方法　　 [H01L] 21-84 半导体器件检查装置　　 [H01L] 21-85 检查半导体器件的外观的系统及其方法　　 [H01L] 21-86 半导体器件　　 [H01L] 21-87 互补金属氧化物半导体工艺中的线性电容器结构　　 [H01L] 21-88 变形异质接面双极性晶体管　　 [H01L] 21-89 低功耗半导体功率开关器件及其制造方法　　 [H01L] 21-90 互补偶载场效应晶体管及其片上系统　　 [H01L] 21-91 无光栅耦合的n型GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面器件　　 [H01L] 21-92 发光元件用基板与发光元件以及发光元件的制造方法　　 [H01L] 21-93 一种制备氮化镓基 LED的新方法　　 [H01L] 21-94 微型电动机械结构的包封工艺　　 [H01L] 21-95 具有透明连接区、用于硅化物应用的半导体器件及其制作　　 [H01L] 21-96 具有场效应晶体管的半导体器件的制造方法　　 [H01L] 21-97 各向异性导电膜、半导体芯片的安装方法和半导体装置　　 [H01L] 21-98 显示装置　　 [H01L] 21-99 射频电路模块　　 [H01L] 21-100 薄膜晶体管、液晶面板和它们的制造方法　　 [H01L] 21-101 压电执行元件　　 [H01L] 21-102 有机半导体图像传感器　　 [H01L] 21-103 电子束曝光方法以及所使用的掩膜和电子束曝光系统　　 [H01L] 21-104 多芯片模组装置及其制造方法　　 [H01L] 21-105 布线基板、具有布线基板的半导体装置及其制造和安装方法　　 [H01L] 21-106 IC模块处理装置的冷却系统　　 [H01L] 21-107 混合熔丝技术　　 [H01L] 21-108 半导体装置及其制造方法　　 [H01L] 21-109 固体摄像装置及固体摄像元件　　 [H01L] 21-110 用作电源开关的碳化硅N沟场效应晶体管及其制造方法　　 [H01L] 21-111 硅膜的形成方法和喷墨用油墨组合物　　 [H01L] 21-112 硅膜成形方法　　 [H01L] 21-113 硅氧化膜的形成方法　　 [H01L] 21-114 铜深腐蚀方法　　 [H01L] 21-115 静电保护电路以及使用了该电路的半导体集成电路　　 [H01L] 21-116 薄膜晶体管的制造方法　　 [H01L] 21-117 薄膜晶体管的制造方法　　 [H01L] 21-118 压电的弯曲变换器和由多个压电的弯曲变换器组成的组件　　 [H01L] 21-119 半导体装置的制造方法、半导体装置、窄间距用连接器、静电传动器、压电传动器、喷墨头喷墨打印机、微机械、液晶面板、电子装置　　 [H01L] 21-120 灯退火器及用于控制其处理温度的方法　　 [H01L] 21-121 半导体器件的制造方法和设备　　 [H01L] 21-122 氢离子敏场效应管封装方法　　 [H01L] 21-123 掩膜检测装置和掩膜检测方法　　 [H01L] 21-124 用于生产半导体器件的工艺　　 [H01L] 21-125 散热器及其制造方法　　 [H01L] 21-126 一种多选择相干检测方法　　 [H01L] 21-127 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 21-128 光产生电力装置的制造方法　　 [H01L] 21-129 固定基片的装置　　 [H01L] 21-130 发光半导体器件　　 [H01L] 21-131 多层光生伏特器件或光电导器件　　 [H01L] 21-132 组合元件分离方法、薄膜制造方法和组合元件分离设备　　 [H01L] 21-133 处理高纵横比结构的方法　　 [H01L] 21-134 电声换能器及其制造方法和使用该器件的电声换能装置　　 [H01L] 21-135 多层压电元件及其制造方法　　 [H01L] 21-136 蓝宝石硅上的超高分辨率液晶显示器　　 [H01L] 21-137 用于制造电子元件的湿法处理方法　　 [H01L] 21-138 形成薄膜的方法　　 [H01L] 21-139 半导体封装及其倒装芯片接合法　　 [H01L] 21-140 制造电可寻址的蓝宝石上硅光阀用的方法　　 [H01L] 21-141 集成电路组件丝焊安装至散热器的技术　　 [H01L] 21-142 一种用一连续顶部电极匹配电容器阵列的改进的布局技术　　 [H01L] 21-143 制备与硅平面工艺兼容的纳米晶SnO [H01L] 21-144 电子束曝光方法　　 [H01L] 21-145 加强埋置沟道P场效应晶体管性能和可靠性的深草皮掩模　　 [H01L] 21-146 一种半导体的封装结构　　 [H01L] 21-147 表面安装元件和表面安装元件的安装结构　　 [H01L] 21-148 载带自动键合式半导体装置　　 [H01L] 21-149 用于消除浮体效应的SOI半导体集成电路及其制造方法　　 [H01L] 21-150 半导体装置,液晶显示装置和它们的制造方法　　 [H01L] 21-151 发光器件　　 [H01L] 21-152 电致发光显示器件　　 [H01L] 21-153 模拟小波变换器件　　 [H01L] 21-154 带自对准栅极的快闪存储单元及其制造方法　　 [H01L] 21-155 太阳能电池的制造方法　　 [H01L] 21-156 热电转换材料及其制作方法　　 [H01L] 21-157 驱动装置　　 [H01L] 21-158 与硅具有稳定结晶界面的半导体结构的制造方法　　 [H01L] 21-159 对准管芯与柔性基板上互连金属的装置、方法及其产品　　 [H01L] 21-160 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 21-161 带有包含可修整电容器的薄膜电路的模块　　 [H01L] 21-162 与晶轴对准的垂直侧壁器件及其制造工艺　　 [H01L] 21-163 多级快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法　　 [H01L] 21-164 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 21-165 耐高压半导体器件　　 [H01L] 21-166 肖特基二极管、整流器及其制造方法　　 [H01L] 21-167 集成电子电路及其制法　　 [H01L] 21-168 半导体器件　　 [H01L] 21-169 聚合物器件　　 [H01L] 21-170 检测电磁波相位及幅度的装置和方法　　 [H01L] 21-171 包含复合薄膜的光伏模块　　 [H01L] 21-172 反射型传感器　　 [H01L] 21-173 与硅之间具有金属氧化物界面的半导体构造的制造方法　　 [H01L] 21-174 电子束掩膜、掩膜制造方法和曝光方法　　 [H01L] 21-175 半导体层的形成方法　　 [H01L] 21-176 侧面包括端子的表面安装组件　　 [H01L] 21-177 树脂膜片成型方法和使用所述方法的树脂膜片成型设备　　 [H01L] 21-178 半导体器件中的列晶体管　　 [H01L] 21-179 具有电容器的半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 21-180 非易失性半导体存储器件及其制造方法　　 [H01L] 21-181 具有多栅绝缘层的半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 21-182 液冷太阳能光伏转换方法和使用该方法的发电装置　　 [H01L] 21-183 特别用于表盘的具有带色外观的光生伏打电池　　 [H01L] 21-184 去除有机物的方法　　 [H01L] 21-185 用于对半导体衬底进行处理的方法和设备　　 [H01L] 21-186 电阻率测量用外延晶片的制备工艺　　 [H01L] 21-187 层叠的集成电路封装　　 [H01L] 21-188 具有成分分级的铁电材料的铁电场效应晶体管及其制造方法　　 [H01L] 21-189 照明装置　　 [H01L] 21-190 压电执行元件　　 [H01L] 21-191 形成半导体器件的方法　　 [H01L] 21-192 供应液体原材料的方法及设备　　 [H01L] 21-193 一种用于模拟铁电电容的等效电路　　 [H01L] 21-194 非易失性半导体存储器及其制造方法　　 [H01L] 21-195 铁电半导体存储器的制法　　 [H01L] 21-196 处延双极器件和互补金属氧化物半导体器件的方法　　 [H01L] 21-197 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 21-198 用于晶体生长的基底衬底和用其制造衬底的方法　　 [H01L] 21-199 MIM电容器　　 [H01L] 21-200 纳米晶巨磁阻抗复合材料及其制备方法		[H01L] 22-1 用于腔室衬里的树脂模塑制品　　 [H01L] 22-2 半导体元件的制造方法　　 [H01L] 22-3 腐蚀后碱处理方法　　 [H01L] 22-4 用紫外激光输出切断导电链路的方法　　 [H01L] 22-5 半导体器件　　 [H01L] 22-6 制造微模块方法和制造含有微模块的存储媒体的方法　　 [H01L] 22-7 谐振压电告警设备　　 [H01L] 22-8 成膜方法和成膜装置　　 [H01L] 22-9 通过掺杂形成抗电迁移结构的方法　　 [H01L] 22-10 形成异质结双极晶体管的硅－锗基区的方法　　 [H01L] 22-11 制造带有凸块的电子零件的方法和制造电子零件的方法　　 [H01L] 22-12 高功率半导体在塑胶封装产品中的导线架设计　　 [H01L] 22-13 半导体器件的制造方法　　 [H01L] 22-14 含有电容器的半导体存储器件的制造方法　　 [H01L] 22-15 具有高密度互连层的电子封装件　　 [H01L] 22-16 半导体器件　　 [H01L] 22-17 驱动器IC,电光学装置及电子仪器　　 [H01L] 22-18 具有自对齐到存储沟槽的字线的垂直动态存储单元　　 [H01L] 22-19 固态成像设备及其激励方法　　 [H01L] 22-20 非易失性半导体存储装置　　 [H01L] 22-21 功率半导体器件　　 [H01L] 22-22 纳米孔道中的晶体管及其集成电路　　 [H01L] 22-23 电子器件　　 [H01L] 22-24 形成氧化锌膜的方法和设备以及制造光生伏打器件的方法和设备、　　 [H01L] 22-25 表面粘接发光二极管的封装结构及其制造方法　　 [H01L] 22-26 发光二极管及其制造方法　　 [H01L] 22-27 圆弧平底凹杯之发光二极管的制作方法　　 [H01L] 22-28 通过受控退火制造碳化硅功率器件的方法　　 [H01L] 22-29 薄膜半导体装置的制造方法　　 [H01L] 22-30 激光热处理方法,激光热处理装置以及半导体装置　　 [H01L] 22-31 IC制造业中的PECVD－Ti和CVD－Ti薄膜的单一腔室加工方法　　 [H01L] 22-32 多孔性绝缘材料及其制备方法　　 [H01L] 22-33 利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法　　 [H01L] 22-34 减小半导体接触电阻的方法　　 [H01L] 22-35 包含复合体的光伏模块　　 [H01L] 22-36 用于压电变压器的脉冲频率调制驱动电路　　 [H01L] 22-37 层叠型压电变换器　　 [H01L] 22-38 半导体器件的制造方法　　 [H01L] 22-39 半导体器件金属电极的剥离方法　　 [H01L] 22-40 制造薄膜晶体管的方法　　 [H01L] 22-41 制造薄膜晶体管的方法　　 [H01L] 22-42 机械性增强的焊接区界面及其方法　　 [H01L] 22-43 器件检查装置及检查方法　　 [H01L] 22-44 具有扫描路径电路的半导体电路　　 [H01L] 22-45 有源矩阵显示器件　　 [H01L] 22-46 半导体器件　　 [H01L] 22-47 用于CMOS图象传感器的优化浮置P+区光电二极管　　 [H01L] 22-48 适用于非易失性存储器的隧道晶体管　　 [H01L] 22-49 金属氧化物半导体场效应管半导体器件　　 [H01L] 22-50 锗／硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器　　 [H01L] 22-51 细菌视紫红质生物膜光电变换器及制备方法　　 [H01L] 22-52 磁隧道结器件、使用该器件的磁存储器和单元及其存取方法　　 [H01L] 22-53 利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体层　　 [H01L] 22-54 散热器和用它的半导体激光装置及半导体激光叠层装置　　 [H01L] 22-55 结构化电极的制造方法　　 [H01L] 22-56 具有结晶碱土金属硅氮化物/氧化物与硅界面的半导体结构　　 [H01L] 22-57 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 22-58 半导体器件制作工艺及传导结构　　 [H01L] 22-59 射频识别集成电路导线著装方法　　 [H01L] 22-60 控制晶体管结温的稳态工作寿命试验方法　　 [H01L] 22-61 半导体装置的电容器的制造方法　　 [H01L] 22-62 便于改进沟槽腐蚀工艺的集成芯片虚设沟槽图形　　 [H01L] 22-63 提高了可靠性的镶嵌互连及制造工艺　　 [H01L] 22-64 具有薄膜电路的模块　　 [H01L] 22-65 钛酸锶晶体管　　 [H01L] 22-66 钛酸钡晶体管　　 [H01L] 22-67 钙钛矿结构氧化物复合膜晶体管　　 [H01L] 22-68 场效应晶体管　　 [H01L] 22-69 显示系统和电子装置　　 [H01L] 22-70 凸点形成方法以及形成装置　　 [H01L] 22-71 具有纤维接合层的电子器件　　 [H01L] 22-72 半导体装置用引线框架　　 [H01L] 22-73 具有晶体管栅极绝缘体的半导体器件　　 [H01L] 22-74 外部发光效率高的端面发光元件及用其制作的自扫描型发光元件阵列　　 [H01L] 22-75 制作发光二极管外延晶片的方法　　 [H01L] 22-76 半导体封装方法　　 [H01L] 22-77 薄膜式针测卡　　 [H01L] 22-78 半导体装置的电容器的制造方法　　 [H01L] 22-79 半导体器件　　 [H01L] 22-80 检修信号发生电路　　 [H01L] 22-81 半导体晶片封装体及其封装方法　　 [H01L] 22-82 半导体器件及其制造方法、化学机械研磨装置和方法　　 [H01L] 22-83 半导体装置及半导体装置的制造方法　　 [H01L] 22-84 N沟道金属氧化物半导体驱动电路及其制造方法　　 [H01L] 22-85 单片彩色金属氧化物半导体图像传感器及相邻行读出方法　　 [H01L] 22-86 高亮度发光二极管及其制作方法　　 [H01L] 22-87 压电元件及其制造方法　　 [H01L] 22-88 薄膜晶体管及其制造方法　　 [H01L] 22-89 模制树脂以密封电子元件的方法及装置　　 [H01L] 22-90 设计方法、掩模组、集成电路及其制造方法和存储介质　　 [H01L] 22-91 在半导体器件中形成铜配线的方法　　 [H01L] 22-92 在半导体器件中形成铜配线的方法　　 [H01L] 22-93 低介电常数介质集成电路用破裂挡板和氧势垒　　 [H01L] 22-94 大功率半导体模块的散热装置　　 [H01L] 22-95 晶片整合刚性支持环　　 [H01L] 22-96 扩散阻挡层和带扩散阻挡层的半导体器件　　 [H01L] 22-97 电容器及其制造方法　　 [H01L] 22-98 固态成像器件及其制造方法和固态成像系统　　 [H01L] 22-99 隐埋金属体接触结构和制造半导体场效应晶体管器件的方法　　 [H01L] 22-100 超磁致伸缩材料和制造方法及其磁致伸缩致动器和传感器　　 [H01L] 22-101 具有高介电常数栅绝缘体的ULSIMOS　　 [H01L] 22-102 半导体元件的封壳　　 [H01L] 22-103 碳化硅水平沟道缓冲栅极半导体器件　　 [H01L] 22-104 太阳能电池组件和太阳能电池装置　　 [H01L] 22-105 半导体位置探测器　　 [H01L] 22-106 红外发光二极管　　 [H01L] 22-107 微细图形形成材料及用该材料制造半导体装置的方法　　 [H01L] 22-108 清洗电子元件的方法　　 [H01L] 22-109 在基片上成膜的方法和装置　　 [H01L] 22-110 具有最小覆盖电容的金属氧化物半导体场效应晶体管　　 [H01L] 22-111 沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法　　 [H01L] 22-112 薄片电阻测定器及电子零件制造方法　　 [H01L] 22-113 测试集成电路的方法和装置　　 [H01L] 22-114 半导体装置及其制造方法　　 [H01L] 22-115 半导体器件　　 [H01L] 22-116 半导体集成电路器件及其制造方法　　 [H01L] 22-117 用于独立阀值电压控制的存储单元和选择栅的装置及方法　　 [H01L] 22-118 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 22-119 励磁功率柜智能化均流方法　　 [H01L] 22-120 有机电致发光显示板及其封装方法　　 [H01L] 22-121 磁隧道结元件和使用它的磁存储器　　 [H01L] 22-122 制造光滑电极和具有改进存储保持的薄膜铁电电容器的DC溅射工艺　　 [H01L] 22-123 将集成电路封装固定到热沉上的导热安装布局　　 [H01L] 22-124 半绝缘碳化硅基底上基于氮化物的晶体管　　 [H01L] 22-125 控制至少一只容性调节器的方法和装置　　 [H01L] 22-126 湿处理装置　　 [H01L] 22-127 制造半导体器件的方法　　 [H01L] 22-128 集成电路安装带及其制造方法　　 [H01L] 22-129 制造铁电体电容器装置的方法　　 [H01L] 22-130 形成用于互连的双层低介电阻挡层的方法及形成的装置　　 [H01L] 22-131 从半导体晶片中分离半导体器件的装置　　 [H01L] 22-132 散热装置及其制造方法　　 [H01L] 22-133 可消除机械应力的大功率半导体组件　　 [H01L] 22-134 半导体装置的安装结构、电光装置和电子装置　　 [H01L] 22-135 适合于半导体结构中的铜金属化的线接合技术与结构　　 [H01L] 22-136 半导体存储器件　　 [H01L] 22-137 把光学信号光学产生的电荷存储在固态成象装置中的方法　　 [H01L] 22-138 半导体器件　　 [H01L] 22-139 自发光器件及其制造方法　　 [H01L] 22-140 磁阻装置和利用磁阻装置的磁性存储器　　 [H01L] 22-141 半导体晶片清洗装置和方法　　 [H01L] 22-142 半导体薄膜以及薄膜器件　　 [H01L] 22-143 大规模集成电路的配置方法　　 [H01L] 22-144 利用N阱隔离得到的PMOS EEPROM阵列内的独立可编程存储段及其制造方法　　 [H01L] 22-145 受光元件阵列器件及其制作的分光器　　 [H01L] 22-146 产生电能的装置　　 [H01L] 22-147 显示器件及其制造方法　　 [H01L] 22-148 薄膜形成装置,薄膜形成方法和自发光装置　　 [H01L] 22-149 结晶硅半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 22-150 曝光掩模及其制造方法　　 [H01L] 22-151 制备用于电连接的导电座的方法及形成的导电座　　 [H01L] 22-152 用于制作具钽酸锶－铋基介质的存储电容器的方法　　 [H01L] 22-153 半导体器件及其制造方法、电路板和电子装置　　 [H01L] 22-154 用场效应管和双极基极多晶硅层制造多晶硅电容器的方法　　 [H01L] 22-155 用于改善后端生产线结构稳定性的混合介质结构　　 [H01L] 22-156 具有钌电极的半导体存储器及其制造方法　　 [H01L] 22-157 用于DRAM存储器的带有垂直晶体管的写入放大器/读出放大器　　 [H01L] 22-158 固体摄象装置　　 [H01L] 22-159 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 22-160 异质磊晶发光二极体晶粒及其制造方法　　 [H01L] 22-161 DH－Ga1－xAlxAsLED液相外延材料结构优化设计方法 [H01L] 22-162 制造叠层超晶格材料和制造包括该材料的电子器件的低温处理方法　　 [H01L] 22-163 利用改进的雾和雾流的雾化前体沉积设备和方法　　 [H01L] 22-164 可调节的集成数据处理设备　　 [H01L] 22-165 将集成电路封装固定到热沉上的容性安装装置　　 [H01L] 22-166 用于电子封装的器件和销钉固定装置　　 [H01L] 22-167 用于空间飞行器的易弯曲、可折叠太阳能电池　　 [H01L] 22-168 分子束外延自组织生长量子线结构材料制备方法　　 [H01L] 22-169 薄膜形成器件,形成薄膜的方法和自发光器件　　 [H01L] 22-170 半导体制造方法和半导体制造装置　　 [H01L] 22-171 树脂压模及用其制造半导体器件的方法　　 [H01L] 22-172 用于电子光学器件的半导体电路及其制造方法　　 [H01L] 22-173 半导体存储器件、其驱动方法及其制造方法　　 [H01L] 22-174 半导体器件及其制作方法　　 [H01L] 22-175 半导体器件及其制造方法　　 [H01L] 22-176 半导体装置、液晶显示装置及其制造方法　　 [H01L] 22-177 太阳能电池装置的制造方法　　 [H01L] 22-178 银锡复合LED引线框架　　 [H01L] 22-179 晶片清洁装置　　 [H01L] 22-180 用于等离子加工的弹性接合部件及其制造方法和其应用　　 [H01L] 22-181 具有垂直晶体管的集成电路布置结构和该布置结构的制造方法　　 [H01L] 22-182 生产用于半导体封装的环氧树脂模制材料的工艺方法、其模制材料和获得的半导体器件　　 [H01L] 22-183 表面具有与集成电路电绝缘的周边区域的集成电路模块和包括该模块的混合连接卡　　 [H01L] 22-184 集成无机/有机互补薄膜晶体管电路及其制造方法　　 [H01L] 22-185 光电元件及其制造方法　　 [H01L] 22-186 在半导体器件上形成微细图形的方法　　 [H01L] 22-187 覆晶件晶片的结合方法　　 [H01L] 22-188 制造具有保护层的IC芯片的方法　　 [H01L] 22-189 衬底保持装置和具备该装置的曝光装置　　 [H01L] 22-190 多层布线构造的半导体装置及其制造方法　　 [H01L] 22-191 用于容纳越过宏的芯片级连线电路放置的宏设计技术　　 [H01L] 22-192 用以改善粘接效果的管帽粘接面的改进　　 [H01L] 22-193 内部具有高效率热传输结构的芯片封装　　 [H01L] 22-194 铝－铜合金复合件及其制造方法以及散热器　　 [H01L] 22-195 半导体器件　　 [H01L] 22-196 半导体器件以及形成该器件的方法　　 [H01L] 22-197 多层压电器件及其制造方法　　 [H01L] 22-198 带凸起的IC密封剂涂敷方法和密封剂涂敷装置　　 [H01L] 22-199 具有表面覆盖层的半导体芯片　　 [H01L] 22-200 半导体位置探测器和使用该探测器的测距装置

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